靶材生产商对工业镀膜及相关制品加工中出现的若干缺陷案例采用SEM-BSE/EDS进行观测，分析并比较缺陷/正常区域在形貌结构、组成上的差异，寻找缺陷成因，进而研发相应的生产及品质改进办法。

       玻璃中的钠会引起基片镀膜产生批量性的点状缺陷。尽管Low-E镀膜玻璃本身会设计有与玻璃基底直接相连的一层较薄但致密的阻挡层以防止原子半径较小的Na迁移入膜层，但如果基片在贮运过程中遭遇高温高湿环境（春夏季淋雨、海运破包），在出现大面积明显霉斑之前，表面局部的碱析出可能已经比较集中 ，超过了阻挡层的承载能力。除此之外，在玻璃基片本身的熔制、澄清等过程中，如果有工艺或原材料的显著变动，也可能会造成在基片局部或点区域上Na的大量富集。

       在缺陷发生区域，可以看到重金属（Ag）层已经有所破损并出现颗粒型的富集。从元素的构成来看，由于膜层本体被破坏，区域内各项元素的含量变化显著，如N、O等。同时，EDS测试本身原理限制，在测试这些轻元素（包括C）时，数据准确度有限。使得从数据的变动上难以判断原因。此时，可以通过比较各元素含量与Na含量的比值来判断测定区域的变动情况，因为：

    （1）Low-E膜层中不含有Na，以基质中的Na作为标定物是相对稳定的，不会随着膜系更改、膜层的破坏而发生元素含量上的变化；

    （2）电子束的隧穿深度达到约1.5m ，而Low-E膜层厚度仅为隧穿深度的10%～20%，合理考虑膜层所含元素对数据的影响，可以大致判断基底玻璃在缺陷区域内的变化程度。

     (3)  相比基片，由于镀膜引入了部分的Si，综合Ca/Na比值下降（镀膜材料中也不含有Ca），可以判断是Na含量超出基片正常值而导致缺陷处相应元素含量比值的大幅下降。

        工业生产检测结果表明，使用磁控旋转阴极靶材，更符合磁控溅射的理念，采取高纯氩气保护等离子喷涂技术的制作方式来生产高品质高纯度的溅射靶材，冷却充分，可满足大功率、大电流使用要求，其生产出来的靶材更高的溅射率，离子密度更强，更高的利用率，利用率可高达70以上，更符合节能环保的理念。